由于加工精度更復雜的凈化過程，使溫度波動范圍的要求越來越小。例如，在大規模集成電路的生產的光刻曝光過程中，掩模材料是玻璃和硅的熱膨脹系數之間的差異越來越小的要求。直徑為100微米的硅晶片的溫度上升到一個程度，鋁材就引起了0.24um的線性膨脹，因此必須有一個恒定的溫度的±0.1度，而需要的濕度值通常較低，因為人汗后的產品將有污染，尤其是他們害怕鈉半導體廠，這家工廠應該不會超過25度。

　 　高濕度產生更多的問題。當相對濕度超過55%時，冷凝管內壁將是，如果有一個精確的設備或電路，可引起各種事故。相對濕度在50%的防銹。此外，高濕度的空氣中時，水通過在晶片表面粘附分子化學吸附在表面上的灰塵電阻難以去除。相對濕度越高，附著除去，如果相對濕度低于30%時，很容易吸附在粒子表面上的靜電的影響的難度，同時大量容易發生擊穿的半導體器件。對于晶圓生產35-45%的最佳溫度范圍內。

　 　在凈化鋁材室中要求的壓力：

　　 對于大多數的潔凈室中，為了防止從外界污染，需要保持的內部壓力(靜壓)高于外界的壓力(靜壓)。要保持壓力差應符合下列一般原則：

　 　1、干凈的空間壓力高于非潔凈空間的壓力。

　 　2、高水平的清潔高于相鄰的空間中的壓力水平低的潔凈度的空間中的壓力。

　 　3、相似之處潔凈室的開門，高水平的房間的清潔度。

　 　依賴于新鮮的空氣，保持的壓力差，新鮮空氣可以從該間隙泄漏出風的壓力差，以補償。